5月9日消息，据集微网报道，“据报道，上海微电子装备(集团)股份有限公司(SMEE)自主研发的系列28nm浸没式DUV光刻机，近日完成首批批量交付，进入量产工艺验证阶段。”在该消息发布之后，立刻引发了业内的热议。但是，芯智讯在经过与光刻机及晶圆制造企业相关人士交流后发现，该文章内部分内容似乎存在不少事实问题。1、集微的报道并未给出具体的信源，只说“据报道”，到底是据哪家可信的媒体报道，根本没提。这不符合这种新闻的严肃性。
2、报道称“2026年1月，上海微电子在长三角半导体产业峰会上，首次官宣SSA800系列实现全面量产。”
但是，这个所谓的“长三角半导体产业峰会”根本没有任何权威媒体的相关报道，也查不到具体的举办时间、地点、主办方及与会嘉宾和企业。更别说什么“上海微电子官宣”了，上海微电子的官方从未正式披露过上述消息。
虽然网上能够找到今年1月一些自媒关于“长三角半导体产业峰会”的消息，但是也全部都是与“上海微电子官宣SSA800系列量产”绑定的信息。当时，笔者也有关注到过这个消息，但是觉得是“小作文”，市场也有过一轮基于这个消息炒作光刻机概念股。
3、报道还指出“2026年3月，在SEMICON China2026国际半导体展览会上，上海微电子首次公开展示了该机型。”
然而，芯智讯在SEMICON China2026国际半导体展览会有去过上海微电子的展台，现场根本就没有展示所谓的样机。而且在展会期间和展会结束后的一段时间，也根本没有相关媒体报道此事。
△芯智讯在SEMICON China2026展会上海微电子展台拍摄的照片
4、报道称“SSA800系列采用193nm ArF浸没式光刻技术，单次曝光原生支持28nm制程，可通过多重曝光工艺稳定实现 14nm 乃至更先进的工艺生产。设备套刻精度控制在2.3~2.5nm，量产良率稳定在90%~95%区间，每小时可处理150片晶圆。”
据芯智讯了解，SSA800实际上就是近几年市场一直传闻的国产“28nm光刻机”，是一款193nm ArF浸没式光刻机，对标的是ASML TWINSCAN NXT:1950i。而后者的专用卡盘套刻精度为2.5nm，混合匹配套刻精度为3.5nm，每小时可处理200片晶圆。所以，说SSA800系列套刻精度控制在2.3~2.5nm，每小时可处理150片晶圆，应该是大差不差。
不过，说SSA800系列的“量产良率稳定在90%~95%区间”似乎是有点离谱了。因为光刻机本身并没有所谓的“量产良率”的说法。
一位光刻机厂商内部人士对芯智讯直言：“这是假消息，光刻机哪里来的良率。”即便说的是在产线上替代ASML光刻机后芯片最终产出的量产良率也很夸张。
要知道台积电的28nm是在2011年量产的，之后经历较长的良率爬坡阵痛期。2012年上半年，英伟达和高通都曾公开抱怨良率不足、产能吃紧。到2012年8月，中国台湾媒体财援引供应商消息称良率已提升至超过80%。
一位国内晶圆代工厂内部人士告诉芯智讯，目前SSA800系列并未进入国内的商业化晶圆厂，似乎还是在“ICRD”进行测试验证。所以何来的量产批量交付，何来的“90%~95%”量产良率？
期盼国产光刻机取得突破，是每一个关心中国科技发展的人最朴素的情感。我们渴望看到“卡脖子”清单上的项目被一项项划掉，也渴望听到国产设备在先进制程上取得突破的消息。但是，这种渴望越是强烈，就越应该守住理性的底线。虚假的、自嗨的消息，伤害的是公众对真实进展的判断力，也破坏了产业链上下游一步一个脚印攻坚的严肃性。真正的突围，从来不需要靠虚假的“放卫星”来证明自己，时间会给出最诚实的答案。
编辑：芯智讯-浪客剑线上实盘配资网站
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